中芯国际“半导体结构及其制造方法”专利获授权[CSIA]_江城足球网
 
 
中芯国际“半导体结构及其制造方法”专利获授权
更新时间:2021/7/15 14:16:06  
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国家知识产权局消息显示,中芯国际“半导体结构及其制造方法”专利获授权,授权公告日为7月13日。该专利申请号为2016107563247,授权公告号为CN107785422B。
  
  据悉,专利权人为中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司。
  
  专利摘要显示,所述方法包括:提供基底;刻蚀基底,形成衬底以及凸出于衬底的鳍部;在相邻鳍部之间的衬底内形成沟槽;在沟槽侧壁的衬底内形成防扩散掺杂区;形成防扩散掺杂区后,在所述沟槽中形成隔离结构;形成横跨鳍部且覆盖部分鳍部顶部和侧壁表面的栅极结构;在栅极结构两侧鳍部内形成源漏掺杂区。
  
  本发明在相邻鳍部之间的衬底内形成沟槽后,在沟槽侧壁衬底内形成防扩散掺杂区;后续在栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区后,防扩散掺杂区位于源漏掺杂区之间的鳍部底部,即位于器件沟道区位置处;所述防扩散掺杂区可以抑制源漏掺杂区的掺杂离子向沟道区扩散,从而可以减少沟道漏电流,进而可以提高半导体结构的电学性能。
 
来源:国家知识产权局        
 
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