利普思第三代功率半导体、中微亿芯FPGA两大项目开工[CSIA]_江城足球网
 
 
利普思第三代功率半导体、中微亿芯FPGA两大项目开工
更新时间:2021/7/21 16:23:47  
【字体: 】        

据无锡滨湖发布消息,7月17日,2021年三季度重大项目现场推进会暨工装自控高端阀门智造中心项目奠基仪式于无锡滨湖区举行。
  
  会上,无锡利普思半导体有限公司投资的第三代功率半导体SiC模块封装线项目、中国电科集团下属无锡中微亿芯公司投资的亿门级高性能FPGA系列产品研发及产业化项目等19个重大项目集中开工。此次开工的项目总投资达113.9亿元,今年计划投资25亿元。
  
  下面是部分项目介绍:
  
  第三代功率半导体SiC模块封装线项目
  
  该项目由无锡利普思半导体有限公司投资建设,计划引进2条自动化程度较高的先进第三代功率半导体SiC模块封装生产线,包含全自动银烧结机、真空焊接机、全自动端子机、测试机等进口设备。据披露,项目达产后,可形成年产模块产能50万台的生产能力。
  
  项目总投资2亿元,建设地点于蠡园开发区创意园一期,建设起止年限为2021年至2024年。
  
  据了解,无锡利普思半导体有限公司是一家专业从事功率半导体模块(包括IGBT模块和SiC模块)研发、生产和销售服务的科技企业,主要产品包括新能源汽车和工业用的高可靠性SiC和IGBT模块。
  
  亿门级高性能FPGA研发及产业化项目
  
  该项目由中国电科集团下属无锡中微亿芯公司投资建设,专业主打自主可控FPGA芯片产品,为系统整机厂商提供高集成度、高灵活性、高性价比的超大规模FPGA、SoC等产品。据悉,项目将完成产品全流程设计和配套软件的生态建设,完成应用IP开发和系统集成。预计竣工投产后,未来3年可实现销售收入9.5亿元。
  
  项目总投资1.6亿元,建设地点于蠡园开发区集成电路设计中心A6楼,建设起止年限为2021年至2023年。
  
  官微资料显示,无锡中微亿芯有限公司成立于2013年,专业从事高性能可编程SoC和AI芯片研发,致力于为客户提供安全可靠的高性能可编程系统及方案,重点打造AI、SoC等高性能处理器芯片和基于3D技术的微系统和Chiplet产品。
 
来源:全球半导体观察        
 
  • 上一篇: 传MCU第三季度再度涨价 涨幅达双位数
  • 下一篇: 没有了
  •   打印此文  收藏此页  关闭窗口  返回顶部      
     
    热点文章>>


       
    相关文章>>