紫光国芯发布基于格芯12纳米低功耗工艺用于高性能计算的存储控制器和物理接口IP[CSIA]_江城足球网
 
 
紫光国芯发布基于格芯12纳米低功耗工艺用于高性能计算的存储控制器和物理接口IP
更新时间:2020/11/9 15:59:17  
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2020年11月5日,西安紫光国芯半导体有限公司(紫光国芯)在GLOBALFOUNDRIES(格芯)举办的中国全球科技会议上正式发布了基于格芯12纳米低功耗工艺(GF12LP)的GDDR6存储控制器和物理接口IP(GDDR6MC/PHYIP)。与已有的方案相比,新方案在芯片功耗、面积和成本等方面均有明显的提升,并能满足在面向人工智能(AI)和计算应用等热点领域不断增长的需求。
  
  紫光国芯总经理任奇伟博士表示:“人工智能(AI)和网络市场正在迅速增长,因此刺激了对内存带宽需求的增长。借助GF12LP平台优势,我们的GDDR6MC/PHYIP将大幅提升性能,并极大地推动GDDR6应用的发展。”
  
  格芯生态系统和设计解决方案副总裁MarkIreland说:“紫光国芯的GDDR6MC/PHYIP补充了GF12LP平台功能,并且可以很好地支持高带宽内存需求的爆炸式增长。我们和紫光国芯一起合作拓宽了我们的IP和服务范围,进一步向我们的客户提供功能强大且更具成本效益的解决方案。”
  
  西安紫光国芯的GDDR6MC/PHYIP包括一个可配置的内存控制器(MC),其完全符合DFI3.1和AMBAAXI4.0标准,并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的GDDR6控制器以满足高性能应用的要求,如显卡,游戏机和AI计算等。该IP针对功耗和性能进行了优化设计,西安紫光国芯的GDDR6物理接口(PHY)提供了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率,同时兼容JEDEC250和DFI3.1标准。物理接口(PHY)部分还嵌入了高性能锁相环以满足严格的时序规范。与主流GDDR6存储颗粒集成,经过流片测试验证,该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满足设计规格要求。且当数据率为16Gbps时,平均每个DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。
 
来源:西安紫光国芯        
 
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