安森美半导体发布新的 650 V碳化硅 (SIC) MOSFET[CSIA]_江城足球网
 
 
安森美半导体发布新的 650 V碳化硅 (SIC) MOSFET
更新时间:2021/2/19 10:26:40  
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2021年2月18日,推动高能效创新的安森美半导体,发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。
  
  安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V)SiCMOSFET基于一种新的宽禁带材料,提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能,因而提高系统级能效、功率密度,及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。
  
  新一代SiCMOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp(Rdson*area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装,具有市场最低的Rdson(12mOhm)。这技术还优化能量损失品质因数,从而优化了汽车和工业应用中的性能。内置门极电阻(Rg)为设计人员提供更大的灵活性,而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。更高的浪涌、雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。
  
  安森美半导体先进电源分部高级副总裁AsifJakwani在发布新品时说:“在现代电源应用中,如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和可再生能源、企业计算及电信等其他应用,高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的SiCMOSFET比同等的硅开关技术显著提高性能,使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。增强的性能降低损耗,从而提高能效,减少热管理需求,并降低电磁干扰(EMI)。使用这些新的SiCMOSFET的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。”
  
  新器件均为表面贴装,并提供行业标准封装类型,包括TO247和D2PAK。
 
来源:安森美半导体        
 
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